RF4E075AT

RF4E075AT 　　Pch -30V -7.5A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD -30V 21.7mΩ ±7.5A 2W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (HUML2020L8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lOutline HUML2020L8 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　　　　　　 　 　 　 　　　　　　 lApplication Switching Load switch lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature lPackaging specifications Packing Reel size (mm) Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking Embossed Tape 180 8 3000 TCR JT Symbol VDSS ID ID,pulse*1 VGSS EAS*2 IAS*2 PD*3 Tj Tstg Value -30 ±7.5 ±30 ±20 10.6 -2.7 2 150 -55 to +150 Unit V A A V mJ A W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20150218 - Rev.001 　 　 RF4E075AT 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 62.5 Unit ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA Breakdown voltage temperature coefficient Zero gate voltage drain current 　ΔV(BR)DSS　 ID = -1m...