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MOSFET
MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor
OptiMOSTM
OptiMOSTM5Power-MOSFET,30V BSZ0502NSI
DataSheet
Rev.2.0 Final
PowerManagement&Multimarket
1Description
Features
•Optimizedforhighperformancebuckconverters •MonolithicintegratedSchottky-likediode •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •100%avalanchetested •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter
Value
Unit
VDS 30
V
RDS(on),max
2.8
mΩ
ID 40 A
QOSS
13.5
nC
QG(0V..4.5V)
9
nC
OptiMOSTM5Power-MOSFET,30V BSZ0502NSI
TSDSON-8FL
(enlarged source interconnection)
S1 8D S2 7D S3 6D G4 5D
Type/OrderingCode BSZ0502NSI
Package PG-TSDSON-8 FL
Marking 0502NSI
RelatedLinks -
1) J-STD20 and JESD22 Final Data Sheet
2
Rev.2.0,2015-07-13
OptiMOSTM5Power-MOSFET,30V
BSZ0502NSI
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Final Data Sheet
3 Rev.2.0,2015-07-13
OptiMOSTM5Power-MOSFET,30V BSZ0502NSI
2Maximumratings
atTj=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Parameter
Symbol
Continuous drain current
ID
Pulsed drain current2) Avalanche current, single pulse3) Avalanche energy, single pulse Gate source voltage
Power dissipation
Operating and storage temperature
ID,pulse IAS EAS VGS
Ptot
Tj,Tstg
Min.
-
-
-
-
-20
-
-55
Values Typ. Max.
- 40 - 40 - 40 - 40 - 22
- 160
- 20
- 30
- 20
- 43 - 2.1
- 150
Unit Note/TestCondition
VGS=10V,TC=25°C VGS=10V,TC=100°C A VGS=4.5V,TC=25°C VGS=4.5V,TC=100°C VGS=10V,TA=25°C,RthJA=60K/W1)
A TC=25°C A TC=25°C mJ ID=20A,RGS=25Ω
.