KT863BS

НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КТ863/БС(x) КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР ОСОБЕННОСТИ_________ Малая зависимость коэффициента усиления h21э от температуры Максимально допустимый постоянный ток коллектора до 12 А, импульсный – до 15 А. Максимально допустимое напряжения коллектор-эмиттер до 160 В (при Rэб=1кОм) Температура окружающей среды минус 60°С ... плюс 130°С Корпус ТО-220, ТО-263 Корпус ТО-220 (КТ-28) Типономинал КТ863/БС Корпус ТО-263 Типономинал КТ863/БС1 1 – База 2 – Коллектор 3 – Эмиттер ________________ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ Наименование параметра, единица измерения Обратный ток коллекторэмиттер, мА Буквенное Норма обозн. Не Не менее более IкэR - 0.1 Режим Uкэ = 160 В Rэб =1 кОм Температура, °С +25 Обратный ток эмиттербаза, мА Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В Напряжение насыщения база-эмиттер, В Коэффициент усиления Iэбо Uкэнас - Uбэнас h21э 200 0.1 Uкэ = 80 В 0.1 Uэб = 5В +25 0.55 Iк = 5А, Iб=0.04А -60…+130 0.4 Iк = 0.27А, Iб=2 мА 0.9 Iк = 0 А, Iб=0.15 А +25 Iк = 5 А -60…+130 КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х) ___ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ ПРИ Т= -60°С...+130°С Наименование параметра, единица измерения, (режим измерения) Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Rэб=0), В Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Rэб=1кОм), В Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В...