HIGH POWER compound NPN transistor
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР
Предназначендляприменениявпереключающихиимпул...
Description
КТ8232 А, Б. N-P-N КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МОЩ НЫЙ СОСТАВНОЙ ТРАНЗИСТОР
Предназначендляприменениявпереключающихиимпульсныхсхемах. Идеально подходитдляэлектронныхсистемзажигания. Имеетвстроенныйдиодвцепиколлектор- эмиттерисхемузащитыотвторичного пробоя, R1 800 Ом, R2 80 Ом.
Предельно-допустимыережимыэксплуатации
Наименованиепараметра
Напряжениеколлектор-эмиттер(IБ=0)
Напряжениеэмиттер-база(IC=0) Постоянныйтокколлектора Импульсныйтокколлектора Постоянныйтокбазы Импульсныйтокбазы Постояннаярассеиваемаямощность Энергияпробоянаиндуктивнуюнагрузку Диапазонрабочихтемпературперехода Максимальнаятемператураперехода
Обозначение Величина Ед. изм.
UCEO
350. . гр.А 300. . гр.Б
B
UEBО IC ICM IB IBМ PD Е Tj
Tjmax
5 20 30 3 5 125* 350 -60 до+150 +150
B А А А А Вт мДж ¦С ¦С
* приТк= +25 ¦С
Электрическиехарактеристики
Наименованиепараметра
Граничноенапряжение коллектор-эмиттер (IC=100 мА) Обратныйтокколлекторэмиттер(IB=0) Обратныйтокэмиттер-база (IC=0) Статическийкоэффициент передачитока
Напряжениенасыщения коллектор-эмиттер
Напряжениенасыщениябазаэмиттер
Прямоенапряжениенадиоде
Обозна- Единица Величина Режим чение измеренияМин. Макс. измерения
UCEO(sus)
В
350 500 группаА 250 350 группаБ
ICЕO
мА
0.1 UCЕ=300 B (А) 0.1 UCЕ=250 B (Б)
IЕВO
мА
20 UEB=5 B
hFE**
300 IC=5 А, UCЕ=10 B
UCE(sat)**
В
IC=8 А, IB=0.1
1.8 1.8 2.0
А IC=10 А, IB=0.25 А IC=12 А, IB=0.3
А
UBE(sat)**
B
IC=8 А, IB=0.1
А
2.2 2.5 2.7
IC=10 А, IB=0.25 А IC=12 А, IB=0.3
А
UF B
2.5 IF=10 А
*...
Similar Datasheet