FB15R06KL4B1

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FB15R06KL4B1 Elektrische Eigenschaften / electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Diode Gleichrichter/ diode rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Tvj =25°C Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip TC =80°C Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t - value TC =80°C tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C Transistor Wechselrichter/ transistor inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Tvj =25°C Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC =65°C TC = 25 °C Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC =65°C Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ diode inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C Transistor Brems-Chopper/ transistor brake-chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Tvj =25°C Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current TC =65 °C TC =...