EMB06N03V

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  6mΩ  ID  26A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=14A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  PD  Tj, Tstg  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％  350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.  2012/3/10      EMB06N03V LIMITS  ±20  26  18.5  104  14  9.8  4.9  25  8  2.5  1  ‐55 to 150  UNIT  V  A  mJ  W  W  °C  MAXIMUM  6  50  UNIT  °C / W  p.1      ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMB06N03V LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  ID...