DatasheetsPDF.com

EMB06N03H Dataheets PDF



Part Number EMB06N03H
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Datasheet EMB06N03H DatasheetEMB06N03H Datasheet (PDF)

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  6.5mΩ  ID  75A    UIS, Rg 100% Tested  G S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB06N03H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  75  45  160  Avalanche Current  IAS  53  Aval.

  EMB06N03H   EMB06N03H


Document
  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  D RDSON (MAX.)  6.5mΩ  ID  75A    UIS, Rg 100% Tested  G S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB06N03H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  75  45  160  Avalanche Current  IAS  53  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω L = 0.05mH  EAS  EAR  140  40  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  60  32  ‐55 to 175  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=30V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  V  A  mJ  W  °C  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%  350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.          2.5  °C / W  50  2009/6/8  p.1    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMB06N03H LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = 250A  VDS = VGS, ID = 250A  VDS = 0V, VGS = ±20V  VDS = 24V, VGS = 0V  VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = 10V, VGS = 10V  VGS = 10V, ID = 30A  VGS = 4.5V, ID = 24A  VDS = 5V, ID = 24A  DYNAMIC  30      V  1  1.5 3      ±100 nA     1  A     25  75      A    5.5 6.5  mΩ   8.8 11    25   S  Input Capacitance  Output Capacitance  Ciss      Coss  VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz    Reverse Transfer Capacitance    Crss    Gate Resistance  Total Gate Charge1,2  Gate‐Source Charge1,2  Gate‐Drain Charge1,2  Turn‐On Delay Time1,2  Rise Time1,2  Turn‐Off Delay Time1,2  Fall Time1,2  Rg  Qg(VGS=10V) Qg(VGS=4.5V) Qgs  Qgd  td(on)  tr  td(off)  tf  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    VDS = 15V, VGS = 10V,  ID = 30A    VDS = 15V,    ID = 24A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω                      SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C)  Continuous Current  Pulsed Current3  Forward Voltage1  IS      ISM      VSD  IF = IS, VGS = 0V    Reverse Recovery Time    trr     Peak Reverse Recovery Current  IRM(REC)  IF = IS, dlF/dt = 100A / S    Reverse Recovery Charge  Qrr  1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2%.      3292 501 355 1.2 48 27 6  16 20 15 65 10                           75    150   1.3  32   200   12   pF Ω  nC nS A  V  nS A  nC 2009/6/8  p.2  2Independent of operating temperature.  3Pulse width limited by maximum junction temperature.  Ordering & Marking Information:  Device Name: EMB06N03H for EDFN 5 x 6          B06   N03   ABCDEFG B06N03: Device Name  ABCDEFG: Date Code                                                        2009/6/8  EMB06N03H p.3  EMB06N03H     TYPICAL CHARACTERISTICS    I  D ,Drain‐Source Current( A )   On‐Region Characteristics 100   10V 7V 5V 4.5V 4.3V   80   60     40 4V 3.8V   20   3.5V R D S ( O  N)  ,Normalized Drain‐Source On‐Resistance On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage 3 V  G S= 3.5V 2.5 4V 4.5V 2 5V 5.5V 1.5 6V 7V 10V 1  0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0.5   V D S ,Drain‐Source Voltage( V ) 0 20 40 60 80 100 I D  ,Drain Current( A )      On‐Resistance Variation with Temperature 1.8   I D  = 30A VG  S = 10V   1.6 On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage 0.025 I D  = 24A 0.020 R D S (  O N ) ,On‐Resistance( ohm ) R D S ( O  N)  ,Normalized Drain‐Source On‐Resistance   1.4 0.015   1.2   1.0   0.8 0.010 0.005 TA   = 125 °C TA   = 25° C   0.6 0   ‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150 175 2 4 6 8 10 Tj ,Junction Temperature(° C )   I S ,Reverse Drain Current( A )   Body Diode Forward Voltage Variation with   Transfer Characteristics 100 Source Current and Temperature 60 V D S = 10V   80   T A  = ‐55 ° C 25 ° C 125 ° C VG S  = 0V 10 TA  = 125°C 1 I D ,Drain Current( A )   60   40 25°C 0.1 ‐55°C   0.01   20 0.001  0 012 3 45 0.0001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4   VG  S ,Gate‐Source Voltage( V ) VS D  ,Body Diode forward Voltage( V )       2009/6/8  p.4  EMB06N03H         G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s 12   ID = 3 0 A   10  8 V DS =5V 10V VGS ,Gate-Source Voltage( V )  6 15V   4   2    0 0 20 40 60 Q g ,G a te C h a rg e ( n C )   C‐Capacitance( pF ) 10 4 10 3 10 2 C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s C is s C oss C rss f =  1  M H z V GS= 0  V 0 5 10 15 20 25 V DS ‐D ra in ‐S o u rc e  V o lta g e ( V  ) 30   M.


SP5623 EMB06N03H EMB06N03V


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)