2CR202A8S

2CR202 A8S N ， ， 、 。 N 2CR202 A8S ○R ● ● ● ● ● ● ● VRRM IF（AV） VF（IF=10A） trr（IF=0.5A） 200 10×2 1 40 V A V ns TO-220AB -10℃～40℃ 1 ＜85％ 265℃ （Per Diode） ，Ta= 25℃ (8.3ms，) （Per Diode） （Per Diode） RθJC VRRM VRMS VR IF（AV） IFSM Tj Tstg 200 140 200 10 120 150 -55～150 V V V A A ℃ ℃ 3 ℃/W 2015V01 1/4 2CR202 A8S ○R EAVL VF IR trr L=20mH IF=10A ,Tj=25℃ IF=10A ,Tj=125℃ VR=200V, Tj=25℃ VR=200V, Tj=125℃ IF=0.5A, IR=1A IRR=0.25A 10 30 1 0.98 10 150 40 mJ V μA ns （） PBB PBDE HBCDD DEHP Pb ≤0.1% ○ Hg ≤0.1% ○ Cd ≤0.01% ○ Cr(VI) ≤0.1% ○ ≤0.1% ○ ≤0.1% ○ ≤0.1% ○ ≤0.1% ○ DBP ≤0.1% ○ BBP ≤0.1% ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○○ ○○○○ ○ ○ ○ ○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○ ○： SJ/T11363-2006 。 ×： SJ/T11363-2006 。 （Pb）， RoHS 。 2015V01 2/4 2CR202 A8S ○R IF-VF （Per Diode） 100 IR-VR （Per Diode） 10 10 125℃ 25℃ 1 125℃ 1 0.1 25℃ 0.1 0.01 IR (uA) IF (A) 0.01 0.4 0.6 0.8 1 1.2 VF (V) 1.4 IF-TC （Per Diode） 20 0.001 0 50 100 150 200 VR (V) 250 （Per Diode） 150 100 8.3ms Single Half Sine Wave Jedec Method 10 50 IFSM（A） IF (A) 0 0 100 (℃) 200 0 0 50 100 Imax=1A L=20mH R＜0.1Ω EAVL=1/2LI2〔VR（AVL）/（VR（AVL）-VDD）〕 Q1=IGBT（VCES＞DUT VR（AVL）） Q1 L CURRENT SENSE R VDD DUT VDD IV IL VAVL IL t0 t1 t2 t ：TO-220AB 2015V01 3/4 2CR202 A8S ○R ： 1）， 200 /； 2）， 10 /； 3）， 5 /。 ： 1）， 50 /； 2）， 20 /； 3）， 5 /。 A B B1 C...