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MIP2E1DMS

Silicon MOS-type integrated circuit

Description

インテリジェントパワーデバイス (IPD) MIP2E1DMS シリコン MOS  　  のをに  によりリアルタイムのが  　  スイッチング  Ta = 25°C±3°C ドレインコントロールピークコントロールチャネル VD VC ID IDP IC Tch Tstg 700 10 0.43 0.61 0.1 150 -55 ∼ +150 V V A A A °C °C  パッケージ コード DIP7-A1  1: SOURCE 2: SOURCE 3: SOURCE 4: CONTROL 5: DRAIN 6:  7: SOURCE 8: SOURCE  : MIP2E1D : 20087 SLB00104AJD 1 MIP2E1D...

Panasonic

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