DatasheetsPDF.com

KT3102

INTEGRAL

NPN Transistor

Назначение КТ3102 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиа...



KT3102

INTEGRAL


Octopart Stock #: O-916421

Findchips Stock #: 916421-F

Web ViewView KT3102 Datasheet

File DownloadDownload KT3102 PDF File







Description
Назначение КТ3102 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства Зарубежные прототипы прототипы BC547, BC548 Номер технических условий аАО.336.122 ТУ / 03 Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер База Коллектор КТ3102 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ3102 Паpаметpы Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттеpа Статический коэффициент передачи тока Емкость коллекторного перехода Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте КТ3102АМ,БМ,ВМ,ГМ,ЖМ,ИМ,КМ КТ3102ДМ,ЕМ Коэффициент шума Постоянная времени цепи обратной связи Обозначение Iкбо Iэбo h21Е Cк /h 21Е/ Кш к* Ед. измеp нА мкА пФ Режимы измеpения Uкб=Uкб max,Iэ=0 Uэб=5B Uкб= 5B, Iэ= 2мA f=50Гц Uкб= 5B, f=10MГц Uкб= 5B, Iэ=10мA f=100МГц Uкэ= 5В, Iк=0,2мА пс Uкб= 5B, Iэ=10мА, f= 30МГц * Справочные параметры Min Max 15-50 10 100 1000 6,0 2 3 4,0 100 Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ3102 Параметры Напряжение коллектор-база Напpяжение коллектоp-эмиттеp (Rбэ=10кОм) Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора (tu <40мкс, Q> 500) Рассеиваем...




Similar Datasheet




@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)