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FHP830
N-channel enhancement mode power MOS FET
Description
FHP830 N MOS 。AC-DC ，DC-DC，HPMW。 ★ 5.5A,500V,RDS(on)(）1.34Ω ★ 、 ★ FHP830 （TC=25℃） — TC=25℃ TC=25℃ VDSS ID VGS PD TJ Tstg （TC=25℃） 500 5.5 ±30 87.5 150 -55～150 V A V W ℃ ℃ BVDSS VGS=0V, ID=250µA IDSS VDS =500V, VGS= 0V IGSS VGS = ±30V. VDS= 0V RDS(on) VGS=10V, ID=2.75A - VGS(th) VFsD VDS = VGS, ID = 250µA IS=5.5A,...
Feihonltd
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