CИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 9001-2001
КТ814А,Б,В,Г
PNP КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО - ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
аАО. 336.184 ТУ / 02
ПРЕДНАЗНАЧЕН ДЛЯ РАБОТЫ В КЛЮЧЕВЫХ И ЛИНЕЙНЫХ СХЕМАХ, УЗЛАХ И БЛОКАХ АППАРАТУРЫ ШИРОКОГО ПРИМЕНЕНИЯ
* Заpубежный аналог:
КТ814Б-BD136,КТ814В-BD138, КТ814Г-BD140,КТ814А-отсутст.
* Изготавливается в коpпусе
КТ-27 (ТО-126) КТ-89 (DPAK)
1 - эмитт. 2 -колл. 3 - база
ПРЕДЕЛЬНО- ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ
Параметры
Обозначе-
ние
Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб≤100Ом) КТ814А, Uкэ max
КТ814Б,
КТ814В,
КТ814Г
Напряжение эмиттер-база
Uэб max
Постоянный ток коллектора
Iк max
Импульсный ток коллектора
Iки max
Максимально допустимый постоянный ток базы
Iб max
Рассеиваемая мощность коллектора
Pк max
Температура перехода
Tпер
Диапазон рабочих температур среды от -60 до +125оС
Единица измер.
В
В А А А Вт °C
Значение
40 50 70 100 5 1.5 3 0,5 10 150
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=+25°C )
Паpаметpы
Обозна- Ед. Режимы измеpения Min Max
чение измеp
Граничное напряжение колл-эмит КТ814А, Uкэо гp. B Iэ=50mA,
30
КТ814Б,
tи=0.3÷1 мс
45
КТ814В,
65
КТ814Г
85
Обратный ток коллектора
КТ814А, Б Iкбо мкА Uкэ=50 В
50
КТ814В, Г
Uкэ=65 В
50
Обратный ток коллектор-эмиттер КТ814А, Б КТ814В, Г
Iкэr
мкА Uкэ=50 В, Rбэ≤100 Ом Uкэ=65 В, Rбэ≤100 Ом
100 100
Статический коэффициент передачи тока КТ814А ÷В
h21э
Uкб=2 B, Iэ=0.15A
40 275
КТ814Г
30 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас В Iк=0.5 A, Iб=50 мA
0,6
220108, г.Минск, ул. Корженевского, 16, УП "Завод ТРАНЗИСТОР" Отдел маркетинга: тел./факс (10-37517) 212-59-32
E-mail:
[email protected]; http//www.transistor.by
.