DatasheetsPDF.com

KT814 Dataheets PDF



Part Number KT814
Manufacturers INTEGRAL
Logo INTEGRAL
Description PNP Transistor
Datasheet KT814 DatasheetKT814 Datasheet (PDF)

КТ814 p-n-p кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • Прототип КТ814Б - BD136 • Прототип КТ814В - BD138 • Прототип КТ814Г - BD140 Особенности • Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 125°C • Комплиментарная пара – КТ815 Обозначение технических условий • аАО. 336.184 ТУ / 02 Кор.

  KT814   KT814



Document
КТ814 p-n-p кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • Прототип КТ814Б - BD136 • Прототип КТ814В - BD138 • Прототип КТ814Г - BD140 Особенности • Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 125°C • Комплиментарная пара – КТ815 Обозначение технических условий • аАО. 336.184 ТУ / 02 Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ814А, Б, В, Г • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ814А9, Б9, В9, Г9 Назначение выводов Вывод (корпус КТ-27) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ-27) Эмиттер Коллектор База Вывод (корпус КТ-89) №1 №2 №3 КТ-27 КТ-89 Назначение (корпус КТ-89) База Коллектор Эмиттер КТ814 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ814 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение колл-эмит КТ814А, А9 КТ814Б, Б9 КТ814В, В9 КТ814Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ814А, А9, Б, Б9 КТ814В, В9, Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ814А, А9, Б, Б9 КТ814В, В9, Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока КТ814А, А9, Б, Б9, В, В9 КТ814Г, Г9 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Uкэо гp. Ед. измеp B Режимы измеpения Iэ=50mA, tи=0,3 - 1 мс Iкбо Iкэr h21э Uкэ нас мкА Uкэ=50 В Uкэ=65 В мкА Uкэ=50 В, Rбэ≤100 Ом Uкэ=65 В, Rбэ≤100 Ом Uкб=2 B, Iэ=0,15A В Iк=0,5 A, Iб=50 мA Min Max 30 45 65 85 50 50 100 100 40 275 30 275 0,6 Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ814 Параметры Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб≤100Ом) КТ814А, А9 КТ814Б, Б9 КТ814В, В9 КТ814Г, Г9 Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора Максимально допустимый постоянный ток базы Рассеиваемая мощность коллектора Температура перехода Обозначение Uкэ max Uэб max Iк max Iки max Iб max Pк max Tпер Единица измер. В В А А А Вт °C Значение 40 50 70 100 5 1,5 3 0,5 10 150 КТ814 (январь 2011г., редакция 1.0) 2 ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие. ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик изделий без предварительного уведомления. Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является ближайшим или функциональным аналогом. Контактная информация предприятия доступна на сайте: http://www.integral.by КТ814 (январь 2011г., редакция 1.0) 3 .


F12N65 KT814 KT814A


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)