High Voltage Silicon Rectifier Diodes
SI-E8000/3600-4 Version 2012-10-09
SI-E8000/3600-4
High Voltage Silicon Rectifier Diodes Si-Hochspannungs-Gleichrichter...
Description
SI-E8000/3600-4 Version 2012-10-09
SI-E8000/3600-4
High Voltage Silicon Rectifier Diodes Si-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom Alternating input voltage – Eingangswechselspannung Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Compound has classification UL94V-0 – Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Suitable for oil cooled operation – Für Betrieb unter Öl geeignet Standard packaging bulk – Standard Lieferform lose im Karton
4A 8000 V Ø 49 x 257 [mm]
600 g
Maximum ratings Type Typ
SI-E8000/3600-4
Rated DC voltage Anschlussgleichspg.
VRD [V] 3600
Alternat. input voltage Eingangswechselspg.
VVRMS [V] 8000
Grenzwerte Rep. peak reverse voltage Period. Spitzensperrspg.
VRRM [V] 24000
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment
TA = 45°C TA = 45°C TA = 45°C
IFAV
IFSM
i2t
Tj TS M8
4A
200/220 A
200 A2s
-50...+150°C -50...+150°C
< 72 lb.in. < 8 Nm
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
Characteristics Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom
Tj = 25°C IF = 4 A Tj = 45°C VR = VRRM Tj = 150°C VR = VRRM
VF IR IR
SI-E8000/3600-4
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