High Voltage Silicon Rectifier Diodes
SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
High Voltage Silicon Rectifier Diodes Silizi...
Description
SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
SI-A1125/500-6 ... SI-A8000/3600-1.8
High Voltage Silicon Rectifier Diodes Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2013-03-11
Nominal current Nennstrom
55 Alternating input voltage Eingangswechselspannung
16 Hockey-puck plastic case Hockey-puck Kunststoffgehäuse
Weight approx. Gewicht ca.
Polarity: Cathode to stud Polarität: Kathode am Außengewinde
36 23 2
SI-A 3000/1350-2.5 M8
Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton
6...1.8 A 1125...8000 V Ø 55 x 23 [mm]
125 g
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings Type 1) Typ 1)
SI-A1125/500-6 SI-A1750/775-4 SI-A3000/1350-2.5 SI-A8000/3600-1.8
Rated DC voltage Anschlussgleichspg.
VRD [V] 500 775
1350 3600
Alternat. input voltage Eingangswechselspg.
VVRMS [V] 1125 1750 3000 8000
Grenzwerte Rep. peak reverse voltage Period. Spitzensperrspg.
VRRM [V] 3200 4800 8000
24000
Maximum ratings, TA = 50°C
Type Typ
Max. average fwd. current Dauergrenzstrom IFRM [A]
SI-A1125/500-6
6.0
SI-A1750/775-4
4.0
SI-A3000/1350-2.5
2.5
SI-A8000/3600-1.8
1.8
Peak fwd. surge current Stoßstrom IFSM [A] 2) 300 200 200 100
Grenzwerte, TA = 50°C Rating for fusing Grenzlastintegral i2t [A2s] (t<10 ms)
450 200 200
50
1 SI-A and SI-E are identical devices – Si-A und SI-E sind identische Bauteile 2 For one 50 Hz half sine-wave – Für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diote...
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