BSM200GB170DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 200 GB 170 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 80 °C TC = 25 °C Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tP = 1 ms, TC = 80°C Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C, Transistor Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp = 1 ms Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VCES IC,nom. IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I2t VISOL 1700 200 400 400 1660 +/- 20V 200 400 11 3,4 V A A A W V A A k A2s kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 9mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V ... +15V Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-...