BSM200GB120DLC

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM200GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C vorläufige Daten preliminary data VCES IC,nom. IC ICRM 1200 200 420 400 V A A A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 1,3 kW Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current VGES IF +/- 20V 200 V A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. IFRM I2t VISOL 400 A - kA2s 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 8mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V...+15V Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststr...