TK19J55D

TK19J55D MOSFET シリコンNチャネルMOS (π-MOS) TK19J55D 1. スイッチングレギュレータ 2. (1) (2) (3) (4) オンがい。: RDS(ON) = 0.28 Ω () アドミタンスがい。: |Yfs| = 8.5 S () れがい。: IDSS = 10 µA () (VDS = 550 V) りいがな, エンハンスメントタイプです。: Vth = 2.04.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 3. と 1: ゲート (G) 2: ドレイン (D) 3: ソース (S) TO-3P(N) 4. () (にのないり, Ta = 25) ドレインソース ゲートソース ドレイン (DC) ドレイン (パルス) アバランシェエネルギー () アバランシェ アバランシェエネルギー () チャネル (3) (t = 1 ms) (Tc = 25) (2) (1) (1) VDSS VGSS ID IDP PD EAS IAR EAR Tch Tstg 550 ±30 19 76 280 458 19 5.0 150 -55150 W mJ A mJ  A V : の (//) がでのにおいても, (および/ , な) でしてされるは, がしくするおそれがあります。 ハンドブック (りいのごとおいおよびディレーティングのえと) および (レポート, ) をごの, なをおいします。 1 2010-07-27 Rev.1.0 TK19J55D 5. 　 チャネルケース チャネル Rth(ch-c) Rth(ch-a) 0.446 50 /W 1: チャネルが150をえることのないでごください。 2: アバランシェエネルギー () VDD = 90 V, Tch = 25 (), L = 2.2 mH, RG = 25 Ω, IAR = 19 A 3: の, パルスはのチャネルによってされます。 :このはMOSです。りいのにはにごください。 2 2010-07-27 Rev.1.0 TK19J55D 6. (にのないり, Ta = 25) 6.1. ゲートれ ドレインしゃ ドレインソース ゲートしきい ドレインソースオン アドミタンス IGSS IDSS V(BR)DSS Vth RDS(ON) |Yfs| VGS = ±30 V, VDS = 0 V VDS = 550 V, VGS = 0 V ID = 10 mA, VGS = 0 V VDS = 10 V, ID = 1 mA VGS = 10 V, ID = 9.5 A VDS = 10 V, ID = 9.5 A   550 2.0  2.4     0.28 8.5 ±1 10  4.0 0.33  Ω S V µA 6.2. スイッチング () スイッチング (ターンオン) スイッチング () スイッチング (ターンオフ) Ciss Crss Coss tr ton tf toff 6.2.1 VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz        2600 11 280 50 100 25 150        ns pF 6.2.1 スイッチングの 6.3. ゲート ゲート ゲートソース ゲートドレイン Qg ...