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GT50N321

Toshiba Semiconductor

silicon N-channel IGBT

Description
GT50N321 トランジスタ シリコンNチャネルIGBT GT50N321 ○ インバータスイッチング ○ 4 FRD をしています。 りいがなエンハンスメントタイプです。 スイッチングがい。 IGBT : tf = 0.25 μs () (IC = 60 A) FRD : trr = 0.8 μs () (di/dt = −20 A/μs) がい。 VCE (sat) = 2.5 V () (IC = 60 A) : mm (Ta = 25°C) V V A コ レ ク タ ･ エ ミ ッ タ ゲ ー ト ・ エ ミ ッ タ コ レ ク タ エミッタ･コレクタ コ レ ク タ DC 1 ms DC 1 ms VCES VGES IC...


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GT50N321

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