Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS25R12KE3 G
Höchstzulässige Werte / maximum r...
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS25R12KE3 G
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t value Isolations Prüfspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C RMS, f= 50Hz, t= 1min. Tvj= 25°C Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Tc= 25°C;
Transistor VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I²t VISOL 1200 25 40 50 V A A A
145
W
+20
V
25
A
50
A
170
A²s
2,5
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter /
transistor inverter
Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter saturation voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current IC= 25A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 25A, VGE= 15V, Tvj= 125°C IC= 1mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VGE= -15V...+15V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V V...
