CS6822

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. ww w. s z c a n s h e n g .c o m TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors CS6822 TRANSISTOR (NPN) TO-92 TO-92 FEATURES · power switching applications 1. 2. 3. Emitter Collector Base 1 2 3 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol （） VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg Parameter （） Collector-Base Voltage （-） Collector-Emitter Voltage （-） Emitter-Base Voltage （-） Collector Current -Continuous （） Collector Power Dissipation （） Junction Temperature （） Storage Temperature （） Value （） 700 480 9 0.5 0.75 150 -55-150 Units （） V V V A W ℃ ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unless otherwise specified) Parameter （） Collector-base breakdown voltage - Collector-emitter breakdown voltage - Emitter-base breakdown voltage - Collector cut-off current - Collector cut-off current - Emitter cut-off current - DC current gain DC current gain Collector-emitter saturation voltage - Base-emitter saturation voltage - Symbol （） V(BR)CB O V(BR)CE O V(BR)EBO ICBO ICEO IEBO hFE hFE VCE(sat) VBE(sat) Test conditions （） IC= 100μA, IE=0 IC= 1mA, IB=0 IE=100μA, IC=0 VCB=600 V , IE=0 VCE=400V , IB=0 MIN TYP MAX （） （） （） 700 480 9 1 10 1 8 8 0.5 1.2 V V 30 UNIT （） V V V μA μA μA VEB=9V , IC=0 VCE=5V, IC= 100mA VCE=5V, IC= 1mA IC=200mA, IB= 20mA IC=200mA, IB= 20mA CLASSIFICATION CLASSIFICATION OF hFE Range 8-15 15-20 20-25 25-30 1/2 http://www.Datasheet4U.com yp i ca lCCharacteristics h a rac t e ri s tc is T TTypical S 6 822 C CCS6822 2/2 ...