RQ3G100GN

RQ3G100GN 　　Nch 40V 27A Power MOSFET 　　 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 40V 14.3mΩ ±27A 15W lFeatures 1) Low on - resistance 2) High Power Package (HSMT8) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free 5) 100% Rg and UIS tested lOutline HSMT8 　 　　　　　　 lInner circuit 　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 330 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 12 3000 Taping code TB Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) G100GN Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS 40 V Continuous drain current Tc = 25°C Ta = 25°C ID*1 ID ±27 A ±10 A Pulsed drain current IDP*2 ±40 A Gate - Source voltage VGSS ±20 V Avalanche current, single pulse IAS*3 10 A Avalanche energy, single pulse EAS*3 15 mJ Power dissipation PD*1 15 W PD*4 2.0 W Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/10 20171215 - Rev.003 　 　 RQ3G100GN 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - case Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJC*1 RthJA*4 Values Min. Typ. Max. - - 8.3 - - 62.5 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - ...