KLT1B20DC24

W M.T O .C W 00Y 1 M.T . O W C W WW .100Y. M.T O W WW .100Y.C M.TW .TW M / 2SB1243 WW 00Y.CO 2SB1184 W .CO .TW Y W T . 0 Transistors .10 M .1 OM W WW 00Y.CO .TW C . W W Y W W .T 00 W.1 Y.COM W W.1 Y.COM W W W W .T W 00 W M.T .100 W.1 Y.COM W M.T O W O W C . .C W WW .100Y .TW M.T .100 .TW 00Y M O 1 W M . O W C . O W W W Y .C Y.C W W WW .TW M.T .100 .T 2SB1184 / 2SB1243 100 00Y M . O 1 W M . O W C W .CO .TW WW .100Y. .TW WW .100Y.C M.TW M 00Y O 1 W M . O W WW .100Y.C M.TW WW 00Y.CO .TW WW .100Y.C M.TW O (Unit W: mm) M .1 zFeatures O zExternal dimensions W WW .100Y.C M.TW WW 00Y.CO 1) Low W WW .100Y.C M.TW T V CE(sat). . O W OM WW 002SB1243 W.1 .CO 2SB1184 Y.C VCE(sat) = -0.5V (Typ.)WW W Y W .TW W 0 T ± . 1 + 0.2 0 WW .100Y.C M T ± M . .B = -2A / -0.2A) 2.3 −0.1 1 M . 6.5±0.2 O W O W (I C /I C C0.5 . O W W +0.2 C W . Y W 5.1 C W Y W 0.5±0.1 −0.1 .T W the 2SD1760 00 W / 2SD1864. WW .100Y. 2) Complements M.T .100 W.1 Y.COM W M.T O W O W W C . W WW .100Y .TW WW .100Y.C M.TW M.T .100 M O W O W C . O W W WW .100Y WW .100Y.C 0.75M.TW 0.65±0.1 WW .100Y.C M.TW M.T O W O W 0.9 W .CO .TW WW .100Y.C ± M.TW 0.55±0.1 YStructure WW .100Y.C M.TW WW .100z 2.3 ± 0.2 2.3 ± 0.2 M 1.0±0.2 Oplanar type WW 00Y.CO .TW W Epitaxial WW 00Y.CO .TW C . W W W Y W W M .1 .T 00 siliconM M O(2) W.1 Y.C(1) O transistor WW 00Y.CO .TW W.1 PNP ± W (3) C W . W W W 0 Y W .T 1 0 W M . .T 1 00 M . O 1 W M . O (1) Base Emitter W O W Y.C (1) W Y.C : CPT3 .T(2) WW ROHM Collector (2) Collector ATV .TW 0:0 WW .100ROHM 1 WW...