DatasheetsPDF.com

KT815 Dataheets PDF



Part Number KT815
Manufacturers Integral
Logo Integral
Description NPN Transistor
Datasheet KT815 DatasheetKT815 Datasheet (PDF)

КТ815 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • • • Прототип КТ815Б - BD135 Прототип КТ815В - BD137 Прототип КТ815Г - BD139 Особенности • • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Комплиментарная пара – КТ814 КТ-27 Обозначение технических условий • аАО. 336.185 ТУ / 02 К.

  KT815   KT815


Document
КТ815 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • • • Прототип КТ815Б - BD135 Прототип КТ815В - BD137 Прототип КТ815Г - BD139 Особенности • • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Комплиментарная пара – КТ814 КТ-27 Обозначение технических условий • аАО. 336.185 ТУ / 02 Корпусное исполнение • • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ815А, Б, В, Г пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) - КТ815А9, Б9, В9, Г9 КТ-89 Назначение выводов Вывод (корпус КТ-27) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ-27) Эмиттер Коллектор База Вывод (корпус КТ-89) №1 №2 №3 Назначение (корпус КТ-89) База Коллектор Эмиттер КТ815 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com Таблица 1. Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25 °С Паpаметpы Граничное напряжение колл-эмит КТ815А, А9 КТ815Б, Б9 КТ815В, В9 КТ815Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ815А, А9, Б, Б9 КТ815В, В9, Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ815А, А9, Б, Б9 КТ815В, В9, Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока КТ815А, А9, Б, Б9, В, В9 КТ815Г, Г9 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Uкэо гp. Ед. измеp B Режимы измеpения Iэ=50mA, tи=0,3 - 1 мс Min 30 45 65 85 50 50 100 100 40 30 275 275 0,6 Max Iкбо Iкэr мкА Uкэ=50 В Uкэ=65 В мкА Uкэ=50 В, Rбэ≤100 Ом Uкэ=65 В, Rбэ≤100 Ом h21э Uкэ нас В Uкб=2 B, Iэ=0,15A Iк=0,5 A, Iб=50 мA Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ815 Параметры Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб≤100Ом) КТ815А, А9 КТ815Б, Б9 КТ815В, В9 КТ815Г, Г9 Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора Максимально допустимый постоянный ток базы Рассеиваемая мощность коллектора Температура перехода Обозначение Uкэ max Единица измер. В Значение 40 50 70 100 5 1,5 3 0,5 10 150 Uэб max Iк max Iки max Iб max Pк max Tпер В А А А Вт °C КТ815 (январь 2011г., редакция 1.0) 2 Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие. ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик изделий без предварительного уведомления. Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является ближайшим или функциональным аналогом. Контактная информация предприятия доступна на сайте: http://www.integral.by КТ815 (январь 2011г., редакция 1.0) 3 Free Datasheet http://www.Datasheet4U.com .


LT10A07 KT815 SM8015


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)