IGBT-Module
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FS75R12KS4
VorläufigeDaten PreliminaryData
VC...
Description
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FS75R12KS4
VorläufigeDaten PreliminaryData
VCES 1200 75 100 150 500 +/-20 min. Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat VGEth QG RGint Cies Cres ICES IGES Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 4,5 typ. 3,20 3,85 5,5 0,80 5,0 5,10 0,32 0,12 0,13 0,05 0,06 0,31 0,36 0,02 0,03 max. 3,70 6,5 5,0 400 V V V µC Ω nF nF mA nA µs µs µs µs µs µs µs µs mJ mJ mJ mJ V A A
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage Tvj = 25°C TC = 70°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C tP = 1 ms TC = 25°C, Tvj max = 150
IC nom IC ICRM Ptot VGES
A W V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Ga...
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