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Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom output current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t-value IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Modul Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min NTC connected to baseplate t p = 1ms T C = 80°C T C = 25°C t p = 1ms, T C = 80°C T C = 80°C T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = T vj max, t p = 10ms T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = T vj max, t p = 10ms T C = 100°C T vj = - 40°C...Tvj max
VR R M
1600
V
IFRMSM
80
A
Id
134
A
IFSM
650 550
A A A²s A²s
I²t
2100 1500
V CES
1200
V
IC
70
A
IC R M
150
A
P tot
500
W
V GE
± 20
V
VR R M
1200
V
IF
35
A
IFRM
70
A
V ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Sperrstrom reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip
T C = 25°C T vj = T vj max, vR = VRRM T vj = T vj max T vj = T vj max T vj = T vj max, iF = 100A
min. vF
typ. max. 1,35 V
V (TO)
0,75
V
rT
6,3
mΩ
iR
5
mA
RAA`+KK`
1
mΩ
prepared by: Ralf Jörke approved by: Lothar Kleber BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00
date of publication: 13.12.2000 revision: 1 A 34/00 Seite/page 1(12)
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Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values IGBT Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Emitter-Schwellspannung gate-emitter threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate leakage current Emitter-Gate Reststrom gate-leakage current Schnelle Diode / Fast diode Durchlaßspannung forward voltage Sperrverzögerungsladung recovered charge
Tvj = 25°C, iF = 35A Tvj = 125°C, iF = 35A iFM = 35A, -di/dt = 900A/µs, vR = 600V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C, iC = 70A, vGE = 15V Tvj = 125°C, iC = 70A, vGE = 15V Tvj = 25°C, iC = 3mA, vGE = vCE
min. typ. max. vCE sat 2,05 2,75 2,40 4,5 5,5 6,5 V
vGE(TO)
V
Tvj = 25°C, f0 = 1MHz, vCE = 25V, vGE = 0V Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V
Cies
5,1
nF
iCES
10 500 500 400
µA
iGES
nA
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V
iEGS
400
nA
vF
1,85 2,40 1,75
V
Qr 3,6 7,6 µAs µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect Transistor / Transistor, DC Schnelle Diode / Fast diode, DC
RthJC
max. 0,70 max. 0,25 max. 0,80 max. 0,25 max. 0,16 max. 0,24 150
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Gleichrichter / Rectifier Transistor / Transistor Schnelle Diode / Fast diode
RthCK
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
Tvj max
Tc op
- 40...+150
°C
Tstg
- 40...+150
°C
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 2(12)
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance
f = 50Hz Toleranz / tolerance ±15%
Seite 4 page 4 Al2O3
225
V
M1
4
Nm
G
typ.
185
g
12,5
mm
50
m/s²
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand rated resistance Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value Kühlkörper / heatsinks :
TC = 25°C R100 = 493Ω ± 5% TC = 25°C
R25
5
kΩ
P25
max.
20
mW
R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)]
B25/50
3375
K
Mit dieser technischen Information.