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DDB6U134N16RR Dataheets PDF



Part Number DDB6U134N16RR
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Description Diode
Datasheet DDB6U134N16RR DatasheetDDB6U134N16RR Datasheet (PDF)

Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom output current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I².

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Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) Ausgangsstrom output current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t-value IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Modul Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1min NTC connected to baseplate t p = 1ms T C = 80°C T C = 25°C t p = 1ms, T C = 80°C T C = 80°C T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = T vj max, t p = 10ms T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = T vj max, t p = 10ms T C = 100°C T vj = - 40°C...Tvj max VR R M 1600 V IFRMSM 80 A Id 134 A IFSM 650 550 A A A²s A²s I²t 2100 1500 V CES 1200 V IC 70 A IC R M 150 A P tot 500 W V GE ± 20 V VR R M 1200 V IF 35 A IFRM 70 A V ISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Sperrstrom reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip T C = 25°C T vj = T vj max, vR = VRRM T vj = T vj max T vj = T vj max T vj = T vj max, iF = 100A min. vF typ. max. 1,35 V V (TO) 0,75 V rT 6,3 mΩ iR 5 mA RAA`+KK` 1 mΩ prepared by: Ralf Jörke approved by: Lothar Kleber BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 date of publication: 13.12.2000 revision: 1 A 34/00 Seite/page 1(12) Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/ Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values IGBT Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Emitter-Schwellspannung gate-emitter threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate leakage current Emitter-Gate Reststrom gate-leakage current Schnelle Diode / Fast diode Durchlaßspannung forward voltage Sperrverzögerungsladung recovered charge Tvj = 25°C, iF = 35A Tvj = 125°C, iF = 35A iFM = 35A, -di/dt = 900A/µs, vR = 600V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C, iC = 70A, vGE = 15V Tvj = 125°C, iC = 70A, vGE = 15V Tvj = 25°C, iC = 3mA, vGE = vCE min. typ. max. vCE sat 2,05 2,75 2,40 4,5 5,5 6,5 V vGE(TO) V Tvj = 25°C, f0 = 1MHz, vCE = 25V, vGE = 0V Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V Cies 5,1 nF iCES 10 500 500 400 µA iGES nA Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V iEGS 400 nA vF 1,85 2,40 1,75 V Qr 3,6 7,6 µAs µAs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect Transistor / Transistor, DC Schnelle Diode / Fast diode, DC RthJC max. 0,70 max. 0,25 max. 0,80 max. 0,25 max. 0,16 max. 0,24 150 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Gleichrichter / Rectifier Transistor / Transistor Schnelle Diode / Fast diode RthCK Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature Tvj max Tc op - 40...+150 °C Tstg - 40...+150 °C BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 2(12) Free Datasheet http://www.datasheet4u.com/ Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz Toleranz / tolerance ±15% Seite 4 page 4 Al2O3 225 V M1 4 Nm G typ. 185 g 12,5 mm 50 m/s² Temperatursensor / Temperature sensor Nennwiderstand rated resistance Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value Kühlkörper / heatsinks : TC = 25°C R100 = 493Ω ± 5% TC = 25°C R25 5 kΩ P25 max. 20 mW R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)] B25/50 3375 K Mit dieser technischen Information.


CDR35BX474AW DDB6U134N16RR DDB6U144N10R


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