2N5655

www.DataSheet4U.com 2N5655, 2N5657 Plastic NPN Silicon High−Voltage Power Transistor These devices are designed for use in line−operated equipment such as audio output amplifiers; low−current, high−voltage converters; and AC line relays. Features http://onsemi.com Excellent DC Current Gain − hFE = 30−250 @ IC = 100 mAdc Current−Gain − Bandwidth Product − fT = 10 MHz (Min) @ IC = 50 mAdc Pb−Free Packages are Available* 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 250−350 VOLTS, 20 WATTS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎ MAXIMUM RATINGS (Note 1) Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB 2N5655 250 275 2N5657 350 375 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Emitter−Base Voltage Collector Current − Base Current 6.0 0.5 1.0 1.0 Continuous Peak Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 20 0.16 W W/°C °C/W TJ, Tstg – 65 to + 150 TO−225AA CASE 77−09 STYLE 1 MARKING DIAGRAM YWW 2 N565xG THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol qJC Max Un...