LS845

LS845 MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET Linear Systems Ultra Low Leakage Low Drift Monolithic Dual JFET The LS845 is a high-performance monolithic dual JFET featuring extremely low noise, tight offset voltage and low drift over temperature specifications, and is targeted for use in a wide range of precision instrumentation applications. The LS845 features a 15mV offset and 25-µV/°C drift. The 8 Pin P-DIP and 8 Pin SOIC provide ease of manufacturing, and the symmetrical pinout prevents improper orientation. (See Packaging Information). FEATURES  LOW DRIFT  | V GS1‐2 / T| ≤25µV/°C  LOW LEAKAGE  IG = 15pA TYP.  LOW NOISE  en = 3nV/√Hz TYP.  LOW OFFSET VOLTAGE  | V GS1‐2| ≤15mV  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐65°C to +150°C  Operating Junction Temperature  +150°C  Maximum Voltage and Current for Each Transistor – Note 1  ‐VGSS  Gate Voltage to Drain or Source  60V  ‐VDSO  Drain to Source Voltage  60V  ‐IG(f)  Gate Forward Current  50mA  Maximum Power Dissipation  Device Dissipation @ Free Air – Total                 400mW @ +125°C    MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED SYMBOL  CHARACTERISTICS  VALUE  UNITS  CONDITIONS  | V GS1‐2 / T| max.  DRIFT VS.  25  µV/°C  VDG=10V, ID=500µA  TEMPERATURE  TA=‐55°C to +125°C  | V GS1‐2 | max.  OFFSET VOLTAGE  15  mV  VDG=10V, ID=500µA  MAX.  ‐‐  ‐‐    ‐‐  ‐‐  3    15  5    3.5  3.5    50  50  30  100    20  2  0.2    ‐‐  ‐‐    0.5  7  11    8  3  ‐‐  UNITS ...