J211

J211 N-CHANNEL JFET Linear Systems replaces discontinued Siliconix J211 The J211 is a n-channel JFET General Purpose amplifier with low noise and low leakage. The TO-92 package is well suited for cost sensitive applications and mass production. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR SILICONIX J211  HIGH GAIN   gfs = 7000µmho MIN  HIGH INPUT IMPEDANCE  IGSS = 100pA max  LOW INPUT CAPACITANCE  Ciss = 5pF  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS @ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  Storage Temperature  ‐55°C to +150°C  ƒ High gain Operating Junction Temperature  ‐55°C to +135°C  ƒ Low Leakage Maximum Power Dissipation  ƒ Low Noise Continuous Power Dissipation   360mW  J211 Applications: Derating over temperature  3.27 mW/°C  ƒ General Purpose Amplifiers MAXIMUM CURRENT ƒ UHV / VHF Amplifiers Gate Current (Note 1)  10mA  ƒ Mixers MAXIMUM VOLTAGES  ƒ Oscillators Gate to Drain Voltage or  Gate to Source Voltage   ‐25V      J211 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  BVGSS  Gate to Source Breakdown Voltage  ‐25  ‐‐  ‐‐  V  VDS = 0V, IG = ‐1µA  VGS(off)  Gate to Source Cutoff Voltage  ‐2.5  ‐‐  ‐4.5  VDS = 15V,  ID = 1nA  IDSS  Drain to Source Saturation Current (Note 2)  7  ‐‐  20  mA  VDS = 15V, VGS = 0V  IGSS  Gate Reverse Current (Note 3)  ‐‐  ‐‐  ‐100  pA  VDS = 0V, VGS = ‐15V  IG  Gate Operating Current (Note 3)  ‐‐  ‐10  ‐‐  pA  VDS = 10V,  ID = 1mA  rDS(on)  Drain to Sou...