3N170

3N170 N-CHANNEL MOSFET The 3N170 is an enhancement mode N-Channel Mosfet The 3N170 is an enhancement mode N-Channel Mosfet designed for use as a General Purpose amplifier or switch The hermetically sealed TO-72 package is well suited for high reliability and harsh environment applications. (See Packaging Information). FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 3N170  LOW DRAIN TO SOURCE RESISTANCE  FAST SWITCHING  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS   @ 25°C (unless otherwise noted)  rDS(on) ≤ 200Ω  td(on) ≤ 3.0ns  Maximum Temperatures  Storage Temperature  Operating Junction Temperature  3N170 Features: Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation   ƒ Low ON Resistance MAXIMUM CURRENT ƒ Low Capacitance Drain to Source (Note 1)  ƒ High Gain MAXIMUM VOLTAGES  ƒ High Gate Breakdown Voltage Drain to Gate  ƒ Low Threshold Voltage Drain to Source  Peak Gate to Source (Note 2)    3N170 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  BVDSS  Drain to Source Breakdown Voltage  25  ‐‐  ‐‐    V  VDS(on)  Drain to Source “On” Voltage  ‐‐  ‐‐  2.0  VGS(th)  Gate to Source Threshold Voltage  1.0  ‐‐  2.0  IGSS  Gate Leakage Current  ‐‐  ‐‐  10  pA  IDSS  Drain Leakage Current “Off”  ‐‐  ‐‐  10  nA  ID(on)  Drain Current “On”  10  ‐‐  ‐‐  mA  gfs  Forward Transconductance  1000  ‐‐  ‐‐  µS  rDS(on)  Drain to Source “On” Resistance  ‐‐  ‐‐  200  Ω  ‐65°C to +150°C  ‐55°C to +135°C  300mW  30mA  ±35V  25V  ±35V    CONDITIONS  ID = 10...