3N165

3N165 P-CHANNEL MOSFET The 3N165 is a monolithic dual enhancement mode P-Channel Mosfet FEATURES  DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 3N165  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1@ 25°C (unless otherwise noted)  Maximum Temperatures  The hermetically sealed TO-78 package is well suited Storage Temperature  ‐65°C to +200°C  for high reliability and harsh environment applications. Operating Junction Temperature  ‐55°C to +150°C  Lead Temperature (Soldering, 10 sec.)  +300°C  (See Packaging Information). Maximum Power Dissipation  Continuous Power Dissipation (one side)  300mW  3N165 Features: Total Derating above 25°C 4.2 mW/°C  MAXIMUM CURRENT ƒ Very high Input Impedance Drain Current  50mA  ƒ Low Capacitance MAXIMUM VOLTAGES  ƒ High Gain ƒ High Gate Breakdown Voltage Drain to Gate or Drain to Source2  ‐40V  ƒ Low Threshold Voltage Peak Gate to Source3 ±125V  Gate‐Gate Voltage  ±80V  3N165 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted) SYMBOL  CHARACTERISTIC  MIN  TYP.  MAX  UNITS  CONDITIONS  IGSSR  Gate Reverse Leakage Current  ‐‐  ‐‐  10    VGS = ‐0V    IGSSF  Gate Forward Current   ‐‐  ‐‐  ‐10  VGS = ‐40V  pA    TA= +125°C  ‐‐  ‐‐  ‐25  IDSS  Drain to Source Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐200  VDS = ‐20V  ISDS  Source to Drain Leakage Current  ‐‐  ‐‐  ‐400  VSD = ‐20V  VDB = 0  ID(on)  Drain Current “On”  ‐5.0  ‐‐  ‐30  mA  VDS = ‐15V,  VGS = ‐10V  VGS(th)  Gate to Source Threshold Voltage  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  V  VDS = ‐15V,   ID = ‐10µA  ‐2.0  ‐‐  ‐5.0  VDS =  VGS ,   ID = ‐10µA  rDS(...