PDMB100BS12

QS043-402-20381（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ１００ＢＳ１２ １００ Ａ，１２００Ｖ □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 94.0 80 ±0.25 ＰＤＭＢ１００ＢＳ１2Ｃ 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 7(G2) 6(E2) 1 48.0 16.0 14.0 2 3 2-Ø6.5 7 6 12 1 11 94 80 ± 0 .2 5 12 11 2 12 3 7 6 2-Ø 5.5 4 4-fasten tab #110 t= 0.5 8 6 4 18.0 4 5(E1) 4(G1) 3-M5 23.0 23.0 17.0 5 4 5 4 3-M5 23 23 17 14 9 14 9 14 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 16 7 16 7 16 LABEL 30 +1.0 - 0 .5 30 +1.0 - 0 .5 LABEL PDMB１00BS12 □ ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ Ｉｔｅｍ コレクタ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage コ レ ク タ Ｃollector Ｃurrent コ レ ク タ Ｃollector Ｐower Ｄissipation Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｓtorage Ｔemperature Ｒange (Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink め け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal □ ＤＣ １ｍｓ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＶＣＥＳ ＶＧＥＳ ＩＣ ＩＣＰ ＰＣ Ｔｊ Ｔｓｔｇ ＶＩＳＯ Ｆｔｏｒ Ｒａｔｅｄ 7 PDMB１00BS12C Dimension:［mm］ Ｖａｌｕｅ 23 4 12 17 35 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） ２ （ ２ ０ .４ ） Ｎ・ｍ （ ２ ０ .４ ） (kgf･cm) ２ １，２００ ±２０ １００ ２００ ６００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB１00BS12 ３ （ ３ ０ .６ ） ２ （ ２ ０ .４ ） PDMB１00BS12C ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 100A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 100mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 6.0Ω ＲG= 15.0Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － ...