DAN217W

DAN217W Switching Diode (High speed switching) 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline VRM 80 V IFM 300 mA Io 100 mA IFSM 4000 mA ●Features High reliability Small mold type High Speed switching ●Inner Circuit Data sheet 　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　 ●Application High speed switching ●Structure Epitaxial planar ●Absolute Maximum Ratings (Ta = 25ºC) Parameter Symbol Reverse voltage VR Repetitive peak reverse voltage VRM Average rectified forward current Io Forward current IFM Peak forward surge current IFSM Power dissipation * 　 　 　 PD Junction temperature Storage temperature Tj Tstg *2 elements total ●Characteristics (Ta = 25ºC) Parameter Symbol Forward voltage VF Reverse current IR Capacitance between terminals * Ct Reverse recoverytime trr ※Caution：static electricity *Capacitance：b/w 1pin and 2pin ●Packaging Specifications Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 180 Taping Width(mm) 8 Basic Ordering Unit(pcs) 3000 Taping Code TL Marking AW Conditions - t=1μs - Limits 80 80 100 300 4000 150 150 -55 ～ 150 Unit V V mA mA mA mW ℃ ℃ Conditions IF=100mA VR=70V VR=6.0V f=1.0MHz VR=6.0V IF=5.0mA RL=50Ω 　　 Min. - Value per element Typ. Max. Unit - 1.2 V - 0.1 μA - 3.5 pF - 4.0 ns 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 www.rohm.com © 2016 ROHMCo., Ltd.All rights reserved. 1/4 　 2018/06/06_Rev.002 DAN217W ●Characteristic Curves 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　 Data sheet 　 　 　 ...