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FP25R12KE3 Dataheets PDF



Part Number FP25R12KE3
Manufacturers eupec GmbH
Logo eupec GmbH
Description IGBT-Module
Datasheet FP25R12KE3 DatasheetFP25R12KE3 Datasheet (PDF)

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP25R12KE3 Vorläufige Daten Preliminary data Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Dauergleichstrom DC forward current Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral .

  FP25R12KE3   FP25R12KE3



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Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP25R12KE3 Vorläufige Daten Preliminary data Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Dauergleichstrom DC forward current Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value 2 VRRM I RMSmax TC = 80°C tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C Id I FSM I t 2 1600 60 25 315 260 500 340 V A A A A As 2 As 2 Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C TC = 80 °C VCES I C,nom. IC I CRM Ptot VGES 1200 25 40 50 150 +/- 20V V A A A W V Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF I FRM I t 2 25 50 170 A A As 2 www.DataSheet4U.com Grenzlastintegral I 2t - value Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom Tc = 80 °C DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Hornkamp tP = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C TC = 25°C VCES I C,nom. IC I CRM Ptot VGES 1200 15 25 30 100 +/- 20V V A A A W V IF I FRM 10 20 A A date of publication:06.03.2001 revision: 1 1(11) DB-PIM-IGBT3_1.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP25R12KE3 Vorläufige Daten Preliminary data RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. NTC connected to Baseplate Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Prüfspannung insulation test voltage VISOL 2,5 kV Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Sperrstrom reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip Tvj = 150°C, Tvj = 150°C Tvj = 150°C Tvj = 150°C, TC = 25°C VR = 1600 V IF = 25 A VF V(TO) rT IR RAA'+CC' min. - typ. 1,05 2 5 max. 0,8 10,5 V V mΩ mA mΩ Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter VGE = 15V, Tvj =.


25X40 FP25R12KE3 FP25R12KT3


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