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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP25R12KE3
Vorläufige Daten Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Dauergleichstrom DC forward current Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value
2
VRRM I RMSmax TC = 80°C tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, tP = 10 ms, Tvj = 25°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 150°C Id I FSM I t
2
1600 60 25 315 260 500 340
V A A A A As 2 As
2
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C TC = 80 °C VCES I C,nom. IC I CRM Ptot VGES 1200 25 40 50 150 +/- 20V V A A A W V
Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C
IF I FRM I t
2
25 50 170
A A As
2
www.DataSheet4U.com Grenzlastintegral I 2t - value
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom Tc = 80 °C DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Hornkamp tP = 1 ms TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C TC = 25°C VCES I C,nom. IC I CRM Ptot VGES 1200 15 25 30 100 +/- 20V V A A A W V
IF I FRM
10 20
A A
date of publication:06.03.2001 revision: 1
1(11)
DB-PIM-IGBT3_1.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP25R12KE3
Vorläufige Daten Preliminary data
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. NTC connected to Baseplate
Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Prüfspannung insulation test voltage VISOL 2,5 kV
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Sperrstrom reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip Tvj = 150°C, Tvj = 150°C Tvj = 150°C Tvj = 150°C, TC = 25°C VR = 1600 V IF = 25 A VF V(TO) rT IR RAA'+CC'
min.
-
typ.
1,05 2 5
max.
0,8 10,5 V V mΩ mA mΩ
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter VGE = 15V, Tvj =.