2N5882

ON Semiconductort Silicon NPN High-Power Transistor . . . designed for general–purpose power amplifier and switching applications. 2N5882 ON Semiconductor Preferred Device Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) DC Current Gain — hFE = 20 (Min) @ IC = 6.0 Adc www.DataSheet4U.com Low Collector — Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 1.0 Vdc (Max) @ IC = 7.0 Adc High Current — Gain–Bandwidth Product — fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 1.0 Adc MAXIMUM RATINGS (1) Collector–Emitter Voltage Collector–Base Voltage Emitter–Base Voltage 15 AMPERE SILICON POWER TRANSISTOR 80 VOLTS 160 WATTS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Max 80 80 15 30 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc 5.0 Collector Current — Continuous Peak Base Current 5.0 Total Device Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 160 0.915 Watts W/_C _C TJ, Tstg –65 to +200 CASE 1–07 TO–204AA (TO–3) THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol θJC Max 1.1 Unit Thermal Resistan...