Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ2400R17KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maxim...
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ2400R17KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 80°C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 2400 3800 4800 V A A A
www.DataSheet4U.com Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage
TC=25°C,
Transistor
Ptot
19,2
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
2400
A
tp = 1 ms
IFRM
4800
A
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
2 It
1500
kA2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor /
Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 2400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C IC = 2400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C IC = 190mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 VCE sat
min.
ty...