T1651N60

Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1651N 60...70TOH N . Features: Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz Hoher Stoßstrome und niedriger Wärmewidererstand durch NTV-Verbindung www.DataSheet4U.com zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Full blocking capability at 125°C with 50 Hz High surge currents and low thermal resistance by using low temperature-connection NTV between silicon wafer and molybdenum. Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltage f = 50 Hz VDRM, VRRM tvj min = -40°C 6000 6500 7000 tvj min = 0°C 6200 6700 7200 V V V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t-value Gehäusegrenzstrom case non-rupture current Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tC = 85°C, f = 50Hz tC = 60°C, f = 50Hz tvj = 25°C, tp = 10ms, VR = 0 tvj = tvj max, tp = 10ms, VR = 0 tvj = 25°C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms Sinushalbwelle tp = 10 ms sine half wave tp = 10 ms DIN IEC 747-6 f = 50Hz, vD = 0,67 VDRM iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM 5. Kennbuchstabe / 5...