NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics SFH 3410
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Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ) SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 4...