RB085B-30

www.DataSheet4U.com RB085B-30 Diodes Schottky barrier diode RB085B-30 zApplications General rectification zExternal dimensions (Unit : mm) zLand size figure (Unit : mm) 6.0 5.5±0.3 　　　 0.1 9.5±0.6 zFeatures 1) Power mold type. (CPD) 2) Low VF 3) High reliability 6.5±0.2 5.1±0.2 　　　 0.1 C0.5 1.5±0.3 2.3±0.2 　　　 0.1 0.5±0.1 ① 1.5 CPD 2.3 2.3 zConstruction Silicon epitaxial planar 0.75 0.9 （1） （2） （3） 0.65±0.1 2.5 zStructure 0.5±0.1 1.0±0.2 2.3±0.2 2.3±0.2 ROHM : CPD JEITA : SC-63 ① Manufacture Date zTaping dimensions (Unit : mm) 4.0±0.1 2.0±0.05 8.0±0.1 φ1.55±0.1 　　　　　 0 2.5±0.1 0.4±0.1 7.5±0.05 10.1±0.1 6.8±0.1 8.0±0.1 φ3.0±0.1 0～0.5 13.5±0.2 10.1±0.1 2.7±0.2 TL zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Parameter Reverse voltage (repetitive peak) Reverse voltage (DC) Average rectified forward current（*1） Forward current surge peak （60Hz・1cyc）（*1） Junction temperature Storage temperature Symbol VRM VR Io IFSM Tj Tstg Limits 35 30 10 35 150 -40 to +150 Unit V V A A ℃ ℃ (*1)Rating of per diode : Io/2 zElectrical characteristic (Ta=25°C) Parameter Symbol Forward voltage Reverse current Thermal impedance VF IR θjc Min. - Typ. - Max. 0.48 300 6.0 Unit V µA ℃/W Conditions IF=4.0A VR=30V junction to case Rev.B 16.0±0.2 3.0 2.0 1.6 1.6 6.0 1/3 RB085B-30 Diodes zElectrical characteristic curves 10 Ta=150℃ REVERSE CURRENT:IR(uA) FORWARD CURRENT:IF(A) 1000000 100000 Ta=25℃ Ta=-25℃ 10000 1000 100 10 1 0.1 Ta=150℃ Ta=125℃ 10000 ：f=1MHz f=1MHz T...