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Technische Information / Technical Information
Schnelle Diode Fast Diode
D 1441 SX 60T
S
Vorläufige Daten . Preliminary Data .
Features • Specially designed for oeration with small snubber • Low losses, soft recovery • 140°C maximum junction temperature • Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral 2 I t-value Max. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten max. decay rate of on-state current at turn-off
tvj = 0°C ... tvj max f = 50Hz tc = 60°C. f = 50Hz
VRRM
6000 V
IFRMSM
2700 A
tC = 85°C, f = 50Hz tC = 60°C, f = 50Hz tvj = tvj max, tp = 10ms
IFAVM
1400 A 1740 A 21 kA 2,2 ⋅ 10
6 2
IFSM
2
tvj = tvj max, tp = 10ms
It
As
iFM = 2500A, VR = 3000V, tvj = tvj max, RCD – Snubber C = 1µF, Lσ = 0,1µH
(-diF/dt)crit
1100 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Durchlaßrechenkennlinie On-state characteristics for calculation 200 A ≤ iF ≤ 5000 A
failure rate λ < 100 estimate value tvj = tvj max, iF = 2500A
VR(D)
typ.
3800 V
vF
max
4,0 V
tvj = tvj max
V(TO)
1,6 V 0,96 mΩ max. – 0,1063 0,000396 0,1532 0,03791 typ. 90 V
tvj = tvj max
rT
tvj = tvj max
VF = A + B ⋅i F + C ⋅ln(i F + 1)+ D ⋅ iF
A B C D
tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage Sperrstrom reverse current
VFRM
tvj = tvj max, vR = VRRM
iR
100 mA
PM BIP /2000-04-10, Vers.1 Beuermann /Keller
Release 2
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Schnelle Diode Fast Diode
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Vorläufige Daten . Preliminary Data .
Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Ausschaltverlust Energie turn-off energy
tvj = tvj max VR = 2800V iFM = 2500A, -diF/dt = 1000A/µs RCD – Snubber C = 1µF, Lσ = 0,1µH
IRM
max
1800 A
Qr
max
4600 µAs
Eoff
ca 7,0 Ws
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided
RthJC
max max max
0,0075 °C/W 0,0133 °C/W 0,0173 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
RthCK
max max
0,003 °C/W 0,006 °C/W 140 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
tvj max
tc op
0...+140 °C
tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact Anpreßkraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke air distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040
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65DSX65
F
27...45 kN
G
typ
500 g
22,5 mm
mm
C
2
f = 50Hz
50 m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
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Vorläufige Daten . Preliminary Data .
On-State Characteristics ( v F )
upper limit of scatter range
5500
5000
4500
4000
3500
3000 IT [A]
max
2500
2000
1500
1000
500
0 0 1 2 3 VT [V] 4 5 6
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Schnelle Diode Fast Diode
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Vorläufige Daten . Preliminary Data .
Transient thermal Impedance for constant-current
Double side cooled r [K/W] 1 0,00285 2 0,00266 3 0,00122 4 0,00074 5 0,00003 Σ 0,0075 0,27 0,0879 0,0156 0,00302 0,000819 [s] Cathode side cooled r [K/W] 0,00688 0,00149 0,00314 0,00114 0,00065 0,0133 1,56 0,381 0,0844 0,0122 0,00265 [s] r [K/W] 0,01007 0,0031 0,00251 0,0011 0,00052 0,0173 3,1 0,287 0,066 0,00957 0,00221 Anode side cooled [s]
Z thJC = ∑ n =1 Rth.