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D1441SX60T Dataheets PDF



Part Number D1441SX60T
Manufacturers Eupec
Logo Eupec
Description Diode
Datasheet D1441SX60T DatasheetD1441SX60T Datasheet (PDF)

www.DataSheet4U.com Technische Information / Technical Information Schnelle Diode Fast Diode D 1441 SX 60T S Vorläufige Daten . Preliminary Data . Features • Specially designed for oeration with small snubber • Low losses, soft recovery • 140°C maximum junction temperature • Electroactive passivation by a-C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffe.

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www.DataSheet4U.com Technische Information / Technical Information Schnelle Diode Fast Diode D 1441 SX 60T S Vorläufige Daten . Preliminary Data . Features • Specially designed for oeration with small snubber • Low losses, soft recovery • 140°C maximum junction temperature • Electroactive passivation by a-C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral 2 I t-value Max. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten max. decay rate of on-state current at turn-off tvj = 0°C ... tvj max f = 50Hz tc = 60°C. f = 50Hz VRRM 6000 V IFRMSM 2700 A tC = 85°C, f = 50Hz tC = 60°C, f = 50Hz tvj = tvj max, tp = 10ms IFAVM 1400 A 1740 A 21 kA 2,2 ⋅ 10 6 2 IFSM 2 tvj = tvj max, tp = 10ms It As iFM = 2500A, VR = 3000V, tvj = tvj max, RCD – Snubber C = 1µF, Lσ = 0,1µH (-diF/dt)crit 1100 A/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Durchlaßrechenkennlinie On-state characteristics for calculation 200 A ≤ iF ≤ 5000 A failure rate λ < 100 estimate value tvj = tvj max, iF = 2500A VR(D) typ. 3800 V vF max 4,0 V tvj = tvj max V(TO) 1,6 V 0,96 mΩ max. – 0,1063 0,000396 0,1532 0,03791 typ. 90 V tvj = tvj max rT tvj = tvj max VF = A + B ⋅i F + C ⋅ln(i F + 1)+ D ⋅ iF A B C D tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage Sperrstrom reverse current VFRM tvj = tvj max, vR = VRRM iR 100 mA PM BIP /2000-04-10, Vers.1 Beuermann /Keller Release 2 Seite/page 1 www.DataSheet4U.com Technische Information / Technical Information Schnelle Diode Fast Diode D 1441 SX 60T S Vorläufige Daten . Preliminary Data . Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Ausschaltverlust Energie turn-off energy tvj = tvj max VR = 2800V iFM = 2500A, -diF/dt = 1000A/µs RCD – Snubber C = 1µF, Lσ = 0,1µH IRM max 1800 A Qr max 4600 µAs Eoff ca 7,0 Ws Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided RthJC max max max 0,0075 °C/W 0,0133 °C/W 0,0173 °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink RthCK max max 0,003 °C/W 0,006 °C/W 140 °C Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature tvj max tc op 0...+140 °C tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact Anpreßkraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke air distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance DIN 40040 Seite 3 65DSX65 F 27...45 kN G typ 500 g 22,5 mm mm C 2 f = 50Hz 50 m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes PM BIP /2000-04-10, Vers.1 Beuermann /Keller Release 2 Seite/page 2 www.DataSheet4U.com Technische Information / Technical Information Schnelle Diode Fast Diode D 1441 SX 60T S Vorläufige Daten . Preliminary Data . . Outline Drawing PM BIP /2000-04-10, Vers.1 Beuermann /Keller Release 2 Seite/page 3 www.DataSheet4U.com Technische Information / Technical Information Schnelle Diode Fast Diode D 1441 SX 60T S Vorläufige Daten . Preliminary Data . On-State Characteristics ( v F ) upper limit of scatter range 5500 5000 4500 4000 3500 3000 IT [A] max 2500 2000 1500 1000 500 0 0 1 2 3 VT [V] 4 5 6 PM BIP /2000-04-10, Vers.1 Beuermann /Keller Release 2 Seite/page 4 www.DataSheet4U.com Technische Information / Technical Information Schnelle Diode Fast Diode D 1441 SX 60T S Vorläufige Daten . Preliminary Data . Transient thermal Impedance for constant-current Double side cooled r [K/W] 1 0,00285 2 0,00266 3 0,00122 4 0,00074 5 0,00003 Σ 0,0075 0,27 0,0879 0,0156 0,00302 0,000819 [s] Cathode side cooled r [K/W] 0,00688 0,00149 0,00314 0,00114 0,00065 0,0133 1,56 0,381 0,0844 0,0122 0,00265 [s] r [K/W] 0,01007 0,0031 0,00251 0,0011 0,00052 0,0173 3,1 0,287 0,066 0,00957 0,00221 Anode side cooled [s] Z thJC = ∑ n =1 Rth.


IL208AT D1441SX60T GC80503


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