NSB9435T1

NSB9435T1 Preferred Device High Current Bias Resistor Transistor PNP Silicon Features http://onsemi.com Collector −Emitter Sustaining Voltage − High DC Current Gain − hFE VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc = 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector −Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.275 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc = 0.55 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc SOT−223 Surface Mount Packaging ESD Rating − Human Body Model: Class 1B − Machine Model: Class B Pb−Free Package is Available POWER BJT IC = 3.0 AMPERES BVCEO = 30 VOLTS VCE(sat) = 0.275 VOLTS COLLECTOR 2,4 BASE 1 EMITTER 3 ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ ÏÏÏ Rating Symbol VCEO VCB VEB IB Value 30 45 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Adc www.DataSheet4U.com MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted) Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Emitter−Base Voltage SOT−223 CASE 318E STYLE 1 ± 6.0 1.0 3.0 5.0 MARKING DIAGRAM Base Current − Continuous Collector Current − Continuous − Peak IC Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Total PD @ TA = 25_C mounted on 1″ sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd material Total PD @ TA = 25_C mounted...