www.DataSheet4U.com
2N5883, 2N5884 (PNP) 2N5885, 2N5886 (NPN)
2N5884 and 2N5886 are Preferred Devices
Complementary Si...
www.DataSheet4U.com
2N5883, 2N5884 (
PNP) 2N5885, 2N5886 (
NPN)
2N5884 and 2N5886 are Preferred Devices
Complementary Silicon High−Power
Transistors
Complementary silicon high−power
transistors are designed for general−purpose power amplifier and switching applications.
Features http://onsemi.com
Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 1.0 Vdc, (max) at IC = 15 Adc Low Leakage Current ICEX = 1.0 mAdc (max) at Rated Voltage Excellent DC Current Gain − hFE = 20 (min) at IC = 10 Adc High Current Gain Bandwidth Product − ft = 4.0 MHz (min) at IC = 1.0 Adc Pb−Free Packages are Available*
25 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER
TRANSISTORS 60 − 80 VOLTS, 200 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ
MAXIMUM RATINGS (Note 1)
Rating Symbol VCEO Value 60 80 60 80 Unit Vdc Collector−Emitter Voltage 2N5883, 2N5885 2N5884, 2N5886 Collector−Base Voltage 2N5883, 2N5885 2N5884, 2N5886 VCB Vdc Emitter−Base Voltage Collector Current − Continuous Peak Base Current VEB IC 5.0 25 50 Vdc Adc IB 7.5 Adc Total Device Dissipation @ TC =...