FF600R16KF4

www.DataSheet4U.com European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information FF 600 R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 130 114 E1 C2 C1 E1 G1 C1 C2 E2 E2 G2 M4 28 7 2,5 deep 40 53 E1 16 18 44 57 C2 screwing depth max. 8 2,5 deep E1 C2 G1 G2 C1 E2 C1 E2 VWK Apr. 1997 IGBT-Module Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collector current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage collector-emitter saturation voltage gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current gate leakage current gate leakage current turn-on time (inductive load) tp=1 ms VCES IC ICRM Ptot VGE FF 600 R 16 KF4 1600 V 600 A 1200 A 3900 W ± 20 V 600 A 1200 A 3,4 kV min. iC=600A, vGE=15V, t vj=125°C iC=40mA, vCE=vGE, tvj=25°C fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, v GE=0V vCE=1600V, v GE=0V, t vj=25°C vCE=1600V, v GE=0V, t vj=125°C vCE=0V, v EG=20V, t vj=25°C ...