DatasheetsPDF.com

BUD43D2 Dataheets PDF



Part Number BUD43D2
Manufacturers ON Semiconductor
Logo ON Semiconductor
Description Bipolar NPN Transistor
Datasheet BUD43D2 DatasheetBUD43D2 Datasheet (PDF)

www.DataSheet4U.com BUD43D2 Bipolar NPN Transistor High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor Integrating an Antisaturation Network and a Transient Voltage Suppression Capability The BUD43D2 is a state–of–the–art bipolar transistor. Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable for light ballast applications. Main Features: http://onsemi.com • • • • Free Wheeling Diode Built In Flat DC Current Gain Fast Switching Times and Tight Distribution “6 Sigma”.

  BUD43D2   BUD43D2


Document
www.DataSheet4U.com BUD43D2 Bipolar NPN Transistor High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor Integrating an Antisaturation Network and a Transient Voltage Suppression Capability The BUD43D2 is a state–of–the–art bipolar transistor. Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable for light ballast applications. Main Features: http://onsemi.com • • • • Free Wheeling Diode Built In Flat DC Current Gain Fast Switching Times and Tight Distribution “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproducible Parameter Spreads 2 AMPERES 700 VOLTS 25 WATTS POWER TRANSISTOR Two Versions: • BUD43D2–1: Case 369 for Insertion Mode • BUD43D2: Case 369A for Surface Mount Mode MAXIMUM RATINGS Rating Collector–Emitter Sustaining Voltage Collector–Base Breakdown Voltage Collector–Emitter Breakdown Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current – Continuous Collector Current – Peak (Note 1) Base Current – Continuous Base Current – Peak (Note 1) Symbol VCEO VCBO VCES VEBO IC ICM IB IBM Value 400 700 700 12 2.0 5.0 1.0 2.0 Unit Vdc Vdc Vdc Vdc Adc Adc DPAK CASE 369 STYLE 1 DPAK CASE 369A STYLE 1 MARKING DIAGRAMS YWW BUD 43D2 YWW BUD 43D2 TYPICAL GAIN Typical Gain @ IC = 100 mA, VCE = 1 V @ IC = 0.3 A, VCE = 1 V hFE 55 32 – THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Operating and Storage Temperature Range Thermal Resistance – Junction–to–Case Thermal Resistance – Junction–to–Ambient Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8″ from Case for 5 sec. Symbol PD 25 0.2 TJ, Tstg RqJC RqJA TL –65 to +150 5.0 71.4 260 W W/°C °C °C/W °C/W °C Value Unit Y = Year WW = Work Week BUD43D2 = Device Code ORDERING INFORMATION Device BUD43D2–1 Package DPAK Shipping 75 Units/Rail 1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10% © Semiconductor Components Industries, LLC, 2002 1 June, 2002 – Rev. 2 Publication Order Number: BUD43D2/D BUD43D2 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted) Characteristic OFF CHARACTERISTICS Symbol Min Typ Max Unit Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 100 mA, L = 25 mH) Collector–Base Breakdown Voltage (ICBO = 1 mA) Emitter–Base Breakdown Voltage (IEBO = 1 mA) Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, IB = 0) VCEO(sus) VCBO VEBO ICEO ICES 400 700 12 – – – – – – 470 920 – – – Vdc Vdc Vdc @ TC = 25°C @ TC = 25°C 14.5 – – – – – – @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C 50 500 50 500 100 mAdc mAdc Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0) Collector Cutoff Current (VCE = 500 V, VEB = 0) Emitter–Cutoff Current (VEB = 10 Vdc, IC = 0) IEBO 100 mAdc ON CHARACTERISTICS Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) (IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 25°C @ TC = 125°C VBE(sat) – – – – 0.78 0.65 0.9 0.8 Vdc @ TC = 25°C @ TC = 125°C 0.85 0.76 1.0 0.9 Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 0.4 Adc, IB = 20 mAdc) (IC = 0.4 Adc, IB = 40 mAdc) (IC = 1 Adc, IB = 0.2 Adc) @ TC = 25°C @ TC = 125°C VCE(sat) – – 0.40 0.60 0.65 1.0 0.4 0.5 0.5 0.6 – – Vdc @ TC = 25°C @ TC = 125°C @ TC = 25°C @ TC = 125°C – – – – 0.20 0.20 0.25 0.30 32 26 DC Current Gain (IC = 0.4 Adc, VCE = 1 Vdc).


BGF200 BUD43D2 BYM300A120DN2


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)