www.DataSheet4U.com
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM50GP60
Elektrische Eig...
www.DataSheet4U.com
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BSM50GP60
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip Dauergleichstrom DC forward current Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I t - value
2
VRRM IFRMSM TC = 80°C tP = 10 ms, T vj = tP = 10 ms, T vj = 25°C 25°C Id IFSM
2 It
1600 40 50 315 260 500 340
V A A A A A2s As
2
tP = 10 ms, T vj = 150°C tP = 10 ms, T vj = 150°C
Transistor Wechselrichter/
Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral 2 I t - value Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF IFRM
2 It
VCES Tc = 80 °C TC = 25 °C tP = 1 ms, TC = 25°C T C = 80 °C IC,nom. IC ICRM Ptot VGES
600 50 70 100 250 +/- 20V
V A A A W V
50 100 760
A A A2s
Transistor Brems-Chopper/
Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom...