MJD148

MJD148 NPN Silicon Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. High Gain − 50 Min @ IC = 2.0 A Low Saturation Voltage − 0.5 V @ IC = 2.0 A High Current Gain − Bandwidth Product − fT = 3.0 MHz Min @ IC = 250 mAdc Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in ESD Ratings: Human Body Model, 3B; >8000 V Machine Model, C; >400 V MAXIMUM RATINGS http://onsemi.com 4.0 Amps 45 Volts 20 Watts POWER TRANSISTOR MARKING DIAGRAM 4 1 2 3 DPAK CASE 369C STYLE 1 YWW J148 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating Symbol VCEO VCB VEB IC IB Value 45 45 Unit Vdc Vdc Vdc Adc Collector−Emitter Voltage Collector−Base Voltage Emitter−Base Voltage 5.0 4.0 7.0 50 Collector Current − Continuous Peak Base Current mAdc W W/°C W W/°C °C Total Power Dissipation @ TC = 25°C Derate above 25°C Total Power Dissipation (Note 1...