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H945

Shantou Huashan Electronic Devices

NPN Silicon Transistors

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H945 ¨€ APPLICATIONS The H945 is d...


Shantou Huashan Electronic Devices

H945

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Description
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H945 ¨€ APPLICATIONS The H945 is designed for driver stage of AF amplifier And low speed switching. ¨€ T stg ¡ ª Tj¡ª PC¡ª ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨ Storage Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Junction Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Dissipation¡-¡ -¡ -¡ Collector-Base Voltage¡-¡ -¡ - ¡ - ¡ -¡ -¡ Collector-Emitter Voltage¡-¡ -¡ -¡ -¡ -¡ Emitter-Base Voltage¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Current¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Ta=25¡æ£© -55~150¡æ 150¡æ 250mW 60V 50V 5V 150mA TO-92 VCBO¡ ª VCEO¡ª V EB O ¡ ª ¡ ª IC¡ª 1¨D Emitter£¬ E 2¨D Collector£¬ C 3¨D Base£¬ B ¨€ Symbol ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨ Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Min Ta=25¡æ£© Typ Max Unit Test Conditions BVCBO BVCEO BVEBO HFE VCE(sat) VBE(sat) ICBO IEBO fT Cob NF 60 50 5 90 600 0.3 1.0 100 100 250 3.0 4.0 V V V V V nA nA MHz pF dB IC=100¦Ì IC=100¦Ì IE=100¦Ì A, IE=0 A, IB=0 A£¬ IC=0 DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cut-off Current VCE=6V, IC=1mA IC=100mA, IB=10mA IC=100mA, IB=10mA VCB=60V, IE=0 VEB=5V, IC=0 VCE=6V, IC=10mA VCB=6V, IE=0£¬ f=1MHz VCE=6V,IC=0.5mA£¬ f=1KHz£¬ Rs=500¦¸ Emitter Cut-off Current Current Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Noise Figure ¨€ hFE Classification w w w .d e R e h s a 90¡ª 180 t a ...




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