NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H945
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APPLICATIONS
The H945 is d...
NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
H945
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APPLICATIONS
The H945 is designed for driver stage of AF amplifier And low speed switching.
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T stg ¡ ª Tj¡ª PC¡ª
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS£¨
Storage Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Junction Temperature¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Dissipation¡-¡ -¡ -¡ Collector-Base Voltage¡-¡ -¡ - ¡ - ¡ -¡ -¡ Collector-Emitter Voltage¡-¡ -¡ -¡ -¡ -¡ Emitter-Base Voltage¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ Collector Current¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡ - ¡
Ta=25¡æ£©
-55~150¡æ 150¡æ 250mW 60V 50V 5V 150mA
TO-92
VCBO¡ ª VCEO¡ª V EB O ¡ ª ¡ ª IC¡ª
1¨D Emitter£¬ E 2¨D Collector£¬ C 3¨D Base£¬ B
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Symbol
ELECTRICAL CHARACTERISTICS£¨
Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Min
Ta=25¡æ£©
Typ Max Unit Test Conditions
BVCBO BVCEO BVEBO HFE VCE(sat) VBE(sat) ICBO IEBO fT Cob NF
60 50 5 90 600 0.3 1.0 100 100 250 3.0 4.0
V V V V V nA nA MHz pF dB
IC=100¦Ì IC=100¦Ì IE=100¦Ì
A, IE=0 A, IB=0 A£¬ IC=0
DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage
Collector Cut-off Current
VCE=6V, IC=1mA IC=100mA, IB=10mA IC=100mA, IB=10mA VCB=60V, IE=0 VEB=5V, IC=0 VCE=6V, IC=10mA VCB=6V, IE=0£¬ f=1MHz VCE=6V,IC=0.5mA£¬ f=1KHz£¬ Rs=500¦¸
Emitter Cut-off Current
Current Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance Noise Figure
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hFE Classification
w
w
w
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e R e h s a 90¡ª 180 t a
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