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European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Marketin...
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m o c
European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Marketing Information FZ 1200 R 12 KF 4
18 screwing depth max. 8 61,5 M8
31,5
130 114
M4
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28
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E 2,5 18,5
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A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze
FZ 1200 R 12 KF4
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL min. 4,5 typ. 2,7 3,3 5,5 90 16 100 0,7 0,8 0,9 1,0 0,10 0,15 170 190 1200 1200 2400 7800 ± 20 1200 2400 2,5 max. 3,2 3,9 6,5 200 400 400 V A A W V A A kV
tp=1 ms tC=25°C,
Transistor /
transistor
tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values:
Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) collector-e...
