GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487 P
Area not flat
0.7 0.8 0.4 0.4
0.6 0.4...
Description
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487 P
Area not flat
0.7 0.8 0.4 0.4
0.6 0.4
3.1 2.5 2.0 1.7 4.0 3.6
2.54 mm spacing
ø3.1 ø2.9
1.8 1.2 29 27 4.5 4.0 Cathode
3.5 Chip position
0.6 0.4
Approx. weight 0.3 g
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Hohe Zuverlässigkeit q Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante q Hohe Impulsbelastbarkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Sehr plane Oberfläche q Gehäusegleich mit SFH 309 Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
Features q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q High reliability q Small tolerance: Chip surface to case surface q High pulse handling capability q Good spectral match to silicon photodetectors q Plane surface q Same package as SFH 309 Applications
q Photointerrupters q Fibre optic transmission
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
q LWL
Typ Type SFH 487 P
Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q517
Gehäuse Package 3-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes EpoxyGieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ 3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06308
GEX06308
SFH 487 P
Grenzwerte (TA = 25 °C) M...
Similar Datasheet