SFH485P

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P Area not flat 0.6 0.4 2.54 mm spacing 0.8 0.4 5.0 4.2 Cathode 3.85 3.35 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 1.8 1.2 29 27 1.0 0.5 Chip position 0.6 0.4 fex06306 GEX06306 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren q Enge Toleranz: Chipoberfläche/ Bauteiloberkante q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger q Sehr plane Oberfläche q Gehäusegleich mit SFH 217 Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Features q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q Small tolerance: Chip surface to case surface q Good spectral match to silicon photodetectors q Plane surface q Same package as SFH 217 Applications q Light-reflection switches for steady and Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz q LWL varying intensity (max. 500 kHz) q Fibre optic transmission Typ Type SFH 485 P Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q516 Gehäuse Package 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes EpoxyGießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß 5 mm LED package (T 1 3/4), plane violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead. Semiconductor Group 1 1998-06-26 SFH 485 P Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operati...